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SIHB33N60EF-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK

compliant

SIHB33N60EF-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.41000 $7.41
10 $6.69500 $66.95
100 $5.55100 $555.1
500 $4.69300 $2346.5
1,000 $4.12100 -
2,500 $3.97800 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 33A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 98mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3454 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 278W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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SIA466EDJ-T1-GE3
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NTMFS4119NT1G
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PJQ5440-AU_R2_000A1

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