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SIHB33N60ET1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A TO263

compliant

SIHB33N60ET1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
800 $3.88500 $3108
1,600 $3.64080 -
2,400 $3.46986 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 33A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3508 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 278W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

BSS138BKW,115
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DMT6013LFDF-13
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NTB5426NT4G
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TK14N65W,S1F
AUIRF2804STRL7P
STD6N60M2
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IXFK180N25T
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IRFI4227PBF
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SIR862DP-T1-GE3
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PMV35EPER
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