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SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 32A D2PAK

compliant

SIHB35N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.08000 $7.08
10 $6.32500 $63.25
100 $5.18650 $518.65
500 $4.19980 $2099.9
1,000 $3.54200 -
535 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 32A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 94mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 132 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2760 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

AON6566
IXFH24N80P
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RQ5E025SNTL
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DMN6140LQ-7
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CSD19531KCS
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NTD3813NT4G
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SIHFZ48RS-GE3
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RQ5L020SNTL
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