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SIHB35N60EF-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK

非準拠

SIHB35N60EF-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.38000 $7.38
10 $6.61200 $66.12
100 $5.46360 $546.36
500 $4.46832 $2234.16
1,000 $3.80480 -
2,500 $3.62616 -
42 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 32A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 97mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 134 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2568 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 250W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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IXTK170P10P
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