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SIHB5N80AE-GE3

SIHB5N80AE-GE3

SIHB5N80AE-GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-

SOT-23

非準拠

SIHB5N80AE-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.69000 $1.69
500 $1.6731 $836.55
1000 $1.6562 $1656.2
1500 $1.6393 $2458.95
2000 $1.6224 $3244.8
2500 $1.6055 $4013.75
890 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 16.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 321 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 62.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

AON2409
SIHG17N60D-GE3
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AO4354
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IXTY08N100P
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$0 $/ピース
RS1G120MNTB
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$0 $/ピース
SSM3J372R,LF
R6002END3TL1
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ZXM64P02XTA
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