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SIHB6N80E-GE3

SIHB6N80E-GE3

SIHB6N80E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK

compliant

SIHB6N80E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.46850 $1.4685
500 $1.453815 $726.9075
1000 $1.43913 $1439.13
1500 $1.424445 $2136.6675
2000 $1.40976 $2819.52
2500 $1.395075 $3487.6875
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 940mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 827 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

APT6010B2FLLG
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$0 $/ピース
FQU5N40TU
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STP22N60M6
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$0 $/ピース
NTD6N40-001
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$0 $/ピース
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SFT1446-H
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$0 $/ピース
SPW11N60C3
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RK7002BT116
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APT30M19JVR
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$0 $/ピース

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