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SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK

非準拠

SIHD12N50E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.98000 $1.98
10 $1.78600 $17.86
100 $1.43550 $143.55
500 $1.11650 $558.25
1,000 $0.92510 -
3,000 $0.86130 -
6,000 $0.82940 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 550 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 886 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 114W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TA)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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