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SIHD180N60E-GE3

SIHD180N60E-GE3

SIHD180N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA

非準拠

SIHD180N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.18000 $3.18
10 $2.83500 $28.35
100 $2.32490 $232.49
500 $1.88260 $941.3
2,000 $1.50836 -
6,000 $1.45165 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 195mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1080 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 156W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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MCH6341-TL-W
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STF11N60M2-EP
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DMN2053U-13
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