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SIHD186N60EF-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 19A DPAK

非準拠

SIHD186N60EF-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.23000 $3.23
500 $3.1977 $1598.85
1000 $3.1654 $3165.4
1500 $3.1331 $4699.65
2000 $3.1008 $6201.6
2500 $3.0685 $7671.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 201mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1118 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 156W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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