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SIHD1K4N60E-GE3

SIHD1K4N60E-GE3

SIHD1K4N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA

compliant

SIHD1K4N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.32000 $1.32
10 $1.17600 $11.76
100 $0.93630 $93.63
500 $0.73366 $366.83
1,000 $0.58625 -
2,500 $0.54940 -
5,000 $0.52361 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.45Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 7.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 172 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 63W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

R8002ANJFRGTL
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$0 $/ピース
APT19M120J
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$0 $/ピース
FDMS7580
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$0 $/ピース
DMTH6009LK3-13
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$0 $/ピース
MSJP20N65-BP
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$0 $/ピース
BSC123N10LSGATMA1
APT47M60J
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$0 $/ピース
IXFN320N17T2
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$0 $/ピース
G86N06K
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CSD18511KCS
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$0 $/ピース

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