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SIHD3N50D-BE3

SIHD3N50D-BE3

SIHD3N50D-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

compliant

SIHD3N50D-BE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.97000 $0.97
500 $0.9603 $480.15
1000 $0.9506 $950.6
1500 $0.9409 $1411.35
2000 $0.9312 $1862.4
2500 $0.9215 $2303.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 175 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 69W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

APT45M100J
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IXFT30N50P
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SQJ418EP-T1_GE3
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RCX510N25
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2SK3800VL
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SCT30N120
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IXFA8N85XHV
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SIRA12BDP-T1-GE3
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SI7148DP-T1-GE3
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