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SIHD3N50DT1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK

非準拠

SIHD3N50DT1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.38610 $0.3861
500 $0.382239 $191.1195
1000 $0.378378 $378.378
1500 $0.374517 $561.7755
2000 $0.370656 $741.312
2500 $0.366795 $916.9875
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.2Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 175 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 69W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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STD6N90K5
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STD52P3LLH6
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$0 $/ピース
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$0 $/ピース
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AOB10N60L
STFI6N62K3
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$0 $/ピース
PJA3432-AU_R1_000A1

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