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SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK

非準拠

SIHD4N80E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.00000 $2
10 $1.81300 $18.13
100 $1.46780 $146.78
500 $1.15426 $577.13
1,000 $0.96615 -
2,500 $0.90345 -
5,000 $0.87210 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 4.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.27Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 622 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 69W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

BUK7Y18-75B,115
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$0 $/ピース
SCTWA20N120
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$0 $/ピース
PMV30XPEAR
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$0 $/ピース
TK290P60Y,RQ
PJD100N04_L2_00001
NDT3055L
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$0 $/ピース
SFW9Z24TM
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$0 $/ピース
DMT10H072LFV-13
IXFX120N25P
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$0 $/ピース

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