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SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252AA

非準拠

SIHD5N50D-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.20000 $1.2
10 $1.06300 $10.63
100 $0.84690 $84.69
500 $0.66358 $331.79
1,000 $0.53025 -
3,000 $0.49692 -
6,000 $0.47359 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 325 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 104W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D-Pak
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

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FDBL0150N80
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