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SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

非準拠

SIHD6N65E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.82000 $1.82
10 $1.65400 $16.54
100 $1.33900 $133.9
500 $1.05300 $526.5
1,000 $0.88140 -
3,000 $0.82420 -
6,000 $0.79560 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 48 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 820 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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関連部品番号

FQPF19N10
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NTTFS015P03P8ZTWG
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SIR462DP-T1-GE3
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STB45N60DM2AG
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DMN53D0LQ-13
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