ichome.comへようこそ!

logo

SIHD6N80AE-GE3

SIHD6N80AE-GE3

SIHD6N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 5A DPAK

非準拠

SIHD6N80AE-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.39000 $1.39
500 $1.3761 $688.05
1000 $1.3622 $1362.2
1500 $1.3483 $2022.45
2000 $1.3344 $2668.8
2500 $1.3205 $3301.25
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 950mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 22.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 422 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 62.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

PH6930DL115
PH6930DL115
$0 $/ピース
IPP80N04S403AKSA1
PSMN016-100XS,127
PSMN016-100XS,127
$0 $/ピース
DMP45H150DHE-13
MMFTN20
MMFTN20
$0 $/ピース
5LP01M-TL-H
5LP01M-TL-H
$0 $/ピース
G60N10T
G60N10T
$0 $/ピース
NP100P06PDG-E1-AY
RS1E220ATTB1
RS1E220ATTB1
$0 $/ピース
TPS1100D
TPS1100D
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。