ichome.comへようこそ!

logo

SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3

SIHD9N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 9A DPAK

非準拠

SIHD9N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.04000 $2.04
500 $2.0196 $1009.8
1000 $1.9992 $1999.2
1500 $1.9788 $2968.2
2000 $1.9584 $3916.8
2500 $1.938 $4845
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 368mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 778 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

SIJA58DP-T1-GE3
SIJA58DP-T1-GE3
$0 $/ピース
STL18N60M2
STL18N60M2
$0 $/ピース
IXFK320N17T2
IXFK320N17T2
$0 $/ピース
AOT22N50L
CSD19506KTT
CSD19506KTT
$0 $/ピース
SIHH14N60EF-T1-GE3
PJW5N10A_R2_00001
AON3402
IRFS3006TRLPBF
TK33S10N1L,LQ

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。