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SIHF18N50C-E3

SIHF18N50C-E3

SIHF18N50C-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3

非準拠

SIHF18N50C-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 18A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 270mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 76 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2942 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 38W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
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$0 $/ピース

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