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SIHFBF30S-GE3

SIHFBF30S-GE3

SIHFBF30S-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHANNEL 900V

compliant

SIHFBF30S-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.96000 $1.96
500 $1.9404 $970.2
1000 $1.9208 $1920.8
1500 $1.9012 $2851.8
2000 $1.8816 $3763.2
2500 $1.862 $4655
998 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 900 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3.6A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1200 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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関連部品番号

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