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SIHFR1N60A-GE3

SIHFR1N60A-GE3

SIHFR1N60A-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA

非準拠

SIHFR1N60A-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.11000 $1.11
10 $0.98000 $9.8
100 $0.77450 $77.45
500 $0.60066 $300.33
1,000 $0.47421 -
3,000 $0.44260 -
6,000 $0.42047 -
399 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 1.4A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7Ohm @ 840mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 14 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 229 pF @ 25 V
FET機能 -
消費電力(最大) 36W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-252AA
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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