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SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3

SIHG11N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC

compliant

SIHG11N80AE-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.89000 $2.89
500 $2.8611 $1430.55
1000 $2.8322 $2832.2
1500 $2.8033 $4204.95
2000 $2.7744 $5548.8
2500 $2.7455 $6863.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 804 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 78W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AC
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

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