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SIHG11N80E-GE3

SIHG11N80E-GE3

SIHG11N80E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

compliant

SIHG11N80E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $4.54000 $4.54
10 $4.05400 $40.54
100 $3.32390 $332.39
500 $2.69152 $1345.76
1,000 $2.26996 -
2,500 $2.15646 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 440mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 88 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1670 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 179W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AC
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

BSZ075N08NS5ATMA1
STL12N65M5
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$0 $/ピース
NDS8410A
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RD3L07BATTL1
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$0 $/ピース
BUK7208-40B,118
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$0 $/ピース
SUD35N10-26P-E3
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$0 $/ピース
2SK4198FS
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IRF830ALPBF
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$0 $/ピース
BUK7514-55A,127
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DMP3004SSS-13
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$0 $/ピース

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