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SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC

compliant

SIHG21N65EF-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $6.13000 $6.13
10 $5.50100 $55.01
100 $4.54520 $454.52
500 $3.71718 $1858.59
1,000 $3.16520 -
2,500 $3.01659 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 21A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2322 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 208W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AC
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

BUK9Y14-40B,115
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$0 $/ピース
SCT3060ALGC11
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NTMFS4708NT3G
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UPA2721GR-E1-AT
PMH950UPEH
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$0 $/ピース
PMZ950UPELYL
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$0 $/ピース
DMN4030LK3Q-13
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$0 $/ピース
IPP60R060C7XKSA1
MCH3478-TL-H
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IXTA20N65X
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$0 $/ピース

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