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SIHG21N80AEF-GE3

SIHG21N80AEF-GE3

SIHG21N80AEF-GE3

Vishay Siliconix

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

compliant

SIHG21N80AEF-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.53000 $3.53
500 $3.4947 $1747.35
1000 $3.4594 $3459.4
1500 $3.4241 $5136.15
2000 $3.3888 $6777.6
2500 $3.3535 $8383.75
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16.3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 250mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 71 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1511 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 179W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AC
パッケージ/ケース TO-247-3
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関連部品番号

SPS04N60C3AKMA1
TN2404K-T1-E3
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$0 $/ピース
SI7120ADN-T1-GE3
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$0 $/ピース
IPB180P04P403ATMA1
IPN50R950CEATMA1
MSC180SMA120S
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$0 $/ピース
R6012JNJGTL
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$0 $/ピース
R6020KNJTL
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$0 $/ピース
CSD16401Q5T
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R6014YNXC7G
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$0 $/ピース

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