ichome.comへようこそ!

logo

SIHH100N60E-T1-GE3

SIHH100N60E-T1-GE3

SIHH100N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8

非準拠

SIHH100N60E-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $3.85385 -
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 28A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 100mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1850 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 174W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® 8 x 8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

IRFZ48NSTRLPBF
C3M0075120J
C3M0075120J
$0 $/ピース
IXFK64N60Q3
IXFK64N60Q3
$0 $/ピース
IXTP340N04T4
IXTP340N04T4
$0 $/ピース
IPB027N10N3GATMA1
DMN3009SSS-13
DMN3009SSS-13
$0 $/ピース
BUK9M120-100EX
BUK9M120-100EX
$0 $/ピース
IXFH16N50P3
IXFH16N50P3
$0 $/ピース
IPWS65R075CFD7AXKSA1
NTMYS3D3N06CLTWG
NTMYS3D3N06CLTWG
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。