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SIHP10N40D-GE3

SIHP10N40D-GE3

SIHP10N40D-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

非準拠

SIHP10N40D-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.65000 $1.65
10 $1.46400 $14.64
100 $1.16550 $116.55
500 $0.91324 $456.62
1,000 $0.72975 -
3,000 $0.68388 -
5,000 $0.65177 -
638 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 400 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 10A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 600mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 526 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 147W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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FCP190N65S3R0
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$0 $/ピース
SQJA20EP-T1_BE3
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