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SIHP12N60E-E3

SIHP12N60E-E3

SIHP12N60E-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

compliant

SIHP12N60E-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.06000 $3.06
10 $2.76700 $27.67
100 $2.24030 $224.03
500 $1.76176 $880.88
1,000 $1.47465 -
3,000 $1.37895 -
5,000 $1.33110 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 937 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 147W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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