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SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3

SIHP12N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

compliant

SIHP12N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $3.06000 $3.06
50 $2.47960 $123.98
100 $2.24030 $224.03
500 $1.76176 $880.88
1,000 $1.47465 -
2,500 $1.37895 -
5,000 $1.33110 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 12A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 937 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 147W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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関連部品番号

IPB117N20NFDATMA1
IXTA44P15T
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$0 $/ピース
RQ6G050ATTCR
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$0 $/ピース
FCPF11N60
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$0 $/ピース
AUIRF8736M2TR
IPB017N10N5LFATMA1
2SK3814-AZ
AOTF4S60
TK28N65W,S1F
IPP65R125C7XKSA1

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