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SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

compliant

SIHP8N50D-E3 価格と注文

単価 外貨価格
1,000 $0.82368 -
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ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 8.7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 850mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 527 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 156W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
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