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SIHU2N80AE-GE3

SIHU2N80AE-GE3

SIHU2N80AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 2.9A TO251AA

compliant

SIHU2N80AE-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.04000 $1.04
500 $1.0296 $514.8
1000 $1.0192 $1019.2
1500 $1.0088 $1513.2
2000 $0.9984 $1996.8
2500 $0.988 $2470
50 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.9A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.9Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 10.5 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 180 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 62.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251AA
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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関連部品番号

RJK5030DPD-03#J2
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R8002ANJGTL
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RJK0703DPP-A0#T2
SIHD14N60ET4-GE3
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$0 $/ピース
IAUT300N10S5N014ATMA1
UJ4C075033K3S
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$0 $/ピース
DMT2004UFG-13
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NTTFS6H854NTAG
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DMN31D6UT-13
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$0 $/ピース
BUZ331
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$0 $/ピース

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