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SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

compliant

SIHU2N80E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.75000 $1.75
10 $1.55200 $15.52
100 $1.22620 $122.62
500 $0.95096 $475.48
1,000 $0.75075 -
3,000 $0.70070 -
6,000 $0.66567 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 800 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 2.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.75Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 19.6 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 315 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 62.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251AA
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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関連部品番号

MCQ4438-TP
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$0 $/ピース
NVTA7002NT1G
NVTA7002NT1G
$0 $/ピース
RCX300N20
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$0 $/ピース
RM180N100T2
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$0 $/ピース
EPC2216
EPC2216
$0 $/ピース
FDU8880
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$0 $/ピース
RJK6014DPP-00#T2
CSD18502Q5BT
CSD18502Q5BT
$0 $/ピース
PJA3402_R1_00001
IRFB23N15DPBF

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