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SIHU3N50D-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 3A TO251

非準拠

SIHU3N50D-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 500 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 3A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 175 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 69W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-251AA
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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