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SIHW33N60E-GE3

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SIHW33N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD

compliant

SIHW33N60E-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $7.39000 $7.39
10 $6.60000 $66
480 $4.88400 $2344.32
960 $3.96000 $3801.6
1,440 $3.69600 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 600 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 33A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (最大) ±30V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3508 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 278W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247AD
パッケージ/ケース TO-3P-3 Full Pack
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関連部品番号

AOB4S60L
ZXMN4A06GTA
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PH8030L,115
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BUK9M53-60EX
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DI9956T
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