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SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

SIJ470DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8

非準拠

SIJ470DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.77080 -
6,000 $0.73461 -
15,000 $0.70876 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 58.8A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 9.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2050 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 56.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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