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SIR1309DP-T1-GE3

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SIR1309DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

非準拠

SIR1309DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $0.99000 $0.99
500 $0.9801 $490.05
1000 $0.9702 $970.2
1500 $0.9603 $1440.45
2000 $0.9504 $1900.8
2500 $0.9405 $2351.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 7.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (最大) ±25V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3250 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

NTD70N03R-001
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SIHB30N60ET5-GE3
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IXFK360N10T
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STFI13N95K3
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STP3LN62K3
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FDZ7296
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FQA10N80C
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