ichome.comへようこそ!

logo

SIR170DP-T1-RE3

SIR170DP-T1-RE3

SIR170DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK

非準拠

SIR170DP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.02000 $2.02
500 $1.9998 $999.9
1000 $1.9796 $1979.6
1500 $1.9594 $2939.1
2000 $1.9392 $3878.4
2500 $1.919 $4797.5
0 items
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 23.2A (Ta), 95A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 6195 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

MSC70SM120JCU2
AOD1R4A70
TN0620N3-G
TN0620N3-G
$0 $/ピース
BUK7E3R1-40E,127
IPD35N10S3L26ATMA1
IPC100N04S5L1R9ATMA1
STD8N65M5
STD8N65M5
$0 $/ピース
IPW60R125CPFKSA1
FDB8896-F085
BSZ021N04LS6ATMA1

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。