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SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

非準拠

SIR401DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.45920 -
6,000 $0.43764 -
15,000 $0.42224 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 20 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 50A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 2.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 310 nC @ 10 V
vgs (最大) ±12V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9080 pF @ 10 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 39W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

IPD65R600C6BTMA1
APT26M100JCU3
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NVD5484NLT4G
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SPW11N60CFD
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$0 $/ピース
RD3H200SNFRATL
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$0 $/ピース
FQI50N06TU
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$0 $/ピース
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