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SIR510DP-T1-RE3

SIR510DP-T1-RE3

SIR510DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

非準拠

SIR510DP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.35000 $2.35
500 $2.3265 $1163.25
1000 $2.303 $2303
1500 $2.2795 $3419.25
2000 $2.256 $4512
2500 $2.2325 $5581.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 31A (Ta), 126A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 3.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 4980 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

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FDFMA2P029Z-F106
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APT20M22JVR
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BSS138PW,115
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FQPF4N60
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NTMS4935NR2G
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