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SIR512DP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

非準拠

SIR512DP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $2.23000 $2.23
500 $2.2077 $1103.85
1000 $2.1854 $2185.4
1500 $2.1631 $3244.65
2000 $2.1408 $4281.6
2500 $2.1185 $5296.25
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 25.1A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3400 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6W (Ta), 96.2W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

PXP011-20QXJ
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