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SIR5802DP-T1-RE3

SIR5802DP-T1-RE3

SIR5802DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE

compliant

SIR5802DP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.98000 $1.98
500 $1.9602 $980.1
1000 $1.9404 $1940.4
1500 $1.9206 $2880.9
2000 $1.9008 $3801.6
2500 $1.881 $4702.5
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 80 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3020 pF @ 40 V
FET機能 -
消費電力(最大) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

AOD4454
NTB23N03R
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PMZ370UNEYL
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$0 $/ピース
DMT6017LFDF-7
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IXTA15N50L2-TRL
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$0 $/ピース
DN2540N5-G
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$0 $/ピース
SI7230DN-T1-GE3
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$0 $/ピース
FDFMA2P853
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IXTH36P15P
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IRF530A
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$0 $/ピース

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