ichome.comへようこそ!

logo

SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

SIR616DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8

compliant

SIR616DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.70192 -
6,000 $0.66896 -
15,000 $0.64542 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 20.2A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 7.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 50.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 28 nC @ 7.5 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 1450 pF @ 100 V
FET機能 -
消費電力(最大) 52W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

FQPF16N25C
FQPF16N25C
$0 $/ピース
SIR570DP-T1-RE3
SIR570DP-T1-RE3
$0 $/ピース
TK62Z60X,S1F
STB34NM60N
STB34NM60N
$0 $/ピース
BUZ111S
BUZ111S
$0 $/ピース
UPA620TT-E1-A
RM80N60DF
RM80N60DF
$0 $/ピース
AOI442
STP6N62K3
STP6N62K3
$0 $/ピース
FDMS8680
FDMS8680
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。