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SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

非準拠

SIR836DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 21A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 19mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 600 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

TK190A65Z,S4X
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IXFA30N25X3
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BUK969R0-60E,118
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RD3L080SNFRATL
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SIR180DP-T1-RE3
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