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SIR882BDP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK

非準拠

SIR882BDP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
1 $1.68000 $1.68
500 $1.6632 $831.6
1000 $1.6464 $1646.4
1500 $1.6296 $2444.4
2000 $1.6128 $3225.6
2500 $1.596 $3990
0 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 16.5A (Ta), 67.5A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 8.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 81 nC @ 10 V
vgs (最大) ±20V
入力容量(ciss)(最大)@vds 3762 pF @ 50 V
FET機能 -
消費電力(最大) 5W (Ta), 83.3W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

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