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SIRA12DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

非準拠

SIRA12DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.41189 -
6,000 $0.38516 -
15,000 $0.37179 -
0 items
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 25A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2070 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 4.5W (Ta), 31W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

NTTFS5C670NLTWG
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BUK9E8R5-40E,127
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SQM40N10-30_GE3
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TK40A10N1,S4X
PSMN057-200B,118
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$0 $/ピース
SI4168DY-T1-GE3
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FDMS86101DC
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RD3P050SNTL1
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DMTH4005SCT
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