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SIRA14BDP-T1-GE3

SIRA14BDP-T1-GE3

SIRA14BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8

compliant

SIRA14BDP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.19062 -
6,000 $0.17832 -
15,000 $0.16602 -
30,000 $0.15741 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 21A (Ta), 64A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 5.38mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 917 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 3.7W (Ta), 36W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

NVMFS6H858NT1G
NVMFS6H858NT1G
$0 $/ピース
PSMN2R0-30PL,127
PSMN2R0-30PL,127
$0 $/ピース
SIHH105N60EF-T1GE3
SPU08N05L
SPU08N05L
$0 $/ピース
IRFB3306PBF
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$0 $/ピース
3SK298ZP-TL-E
FDPF085N10A
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$0 $/ピース
AUIRFB3806
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$0 $/ピース
IXTA36P15P-TRL
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$0 $/ピース
IPB100N04S4H2ATMA1

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