ichome.comへようこそ!

logo

SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

compliant

SIRA52DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.61600 -
6,000 $0.58520 -
15,000 $0.56320 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 1.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 7150 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 48W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
PDFの読み込みに失敗しました。新しいウィンドウで開いてアクセスしてみてください。 [開ける], またはクリックして戻る

関連部品番号

PMPB11R2VPX
PMPB11R2VPX
$0 $/ピース
SIHD7N60ET5-GE3
SIHD7N60ET5-GE3
$0 $/ピース
FQN1N50CTA
FQN1N50CTA
$0 $/ピース
IRLR024NTRPBF
AO4498
IRF610STRRPBF
IRF610STRRPBF
$0 $/ピース
HUFA76445S3S
RJK0351DPA-00#J0
SIRA32DP-T1-RE3
SIRA32DP-T1-RE3
$0 $/ピース
FDMS7682
FDMS7682
$0 $/ピース

エレクトロニクス分野の信頼できるパートナー

お客様の期待を上回ることに専念。 IChome: エレクトロニクス業界向けに再定義されたカスタマー サービス。