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SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3

SIRA54DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

compliant

SIRA54DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.61336 -
6,000 $0.58456 -
15,000 $0.56399 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
ボムコストダウン
注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 40 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.35mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 48 nC @ 4.5 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 5300 pF @ 20 V
FET機能 -
消費電力(最大) 36.7W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

SQJA04EP-T1_BE3
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IXFK24N100Q3
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STB11N65M5
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PMPB43XPE,115
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NP60N04ILF-E1-AZ
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FQP4N20L
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SIR582DP-T1-RE3
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SI4864DY-T1-E3
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NX3008NBK,215
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