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SIRA80DP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

非準拠

SIRA80DP-T1-RE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.81311 -
6,000 $0.78489 -
11625 items
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 0.62mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 188 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 9530 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 104W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

2SK3294-AZ
2SK3573-AZ
IRFSL7762PBF
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$0 $/ピース
NVMFS6H858NLT1G
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$0 $/ピース
2N7002E-7-F
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$0 $/ピース
DMN62D1LFD-13
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$0 $/ピース
PJP6NA40_T0_00001
RE1J002YNTCL
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$0 $/ピース
BFL4001
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$0 $/ピース

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