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SIRA90DP-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

compliant

SIRA90DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
6,000 $0.58769 -
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 100A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 0.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 153 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 10180 pF @ 15 V
FET機能 -
消費電力(最大) 104W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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関連部品番号

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ISZ0804NLSATMA1
FCPF190N60E-F152
PC3M0060065L
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$0 $/ピース
IPW65R110CFD7XKSA1
2SJ302-Z-AZ
NTC020N120SC1
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$0 $/ピース
FDS6673BZ-G
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$0 $/ピース
FDA16N50LDTU
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$0 $/ピース
DMP3021SFVW-13
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$0 $/ピース

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