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SIRC06DP-T1-GE3

SIRC06DP-T1-GE3

SIRC06DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 32A/60A PPAK SO8

compliant

SIRC06DP-T1-GE3 価格と注文

単価 外貨価格
3,000 $0.43837 -
6,000 $0.41779 -
15,000 $0.40309 -
Inventory changes frequently.
ボムコストダウン
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注文の大小を問わず、あらゆる注文に卸売価格
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名前 価値
製品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース電圧 (vdss) 30 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c 32A (Ta), 60A (Tc)
駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン) 4.5V, 10V
rds オン (最大) @ id、vgs 2.7mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (最大) @ id 2.1V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (最大) +20V, -16V
入力容量(ciss)(最大)@vds 2455 pF @ 15 V
FET機能 Schottky Diode (Body)
消費電力(最大) 5W (Ta), 50W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
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